供应低电容瞬变二极管阵列LC03CI
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为高速数据通信提供适当的系统级ESD防护,ESD防护器件(TVS二极管)必须满足不同的要求。可参照IEC61000-4-2标准,根据残留箝位电压和TVS二极管对ESD冲击的响应,判断TVS二极管的ESD防护性能。我司专为该应用定制了一只反向工作电压为3.3V的TVS二极管(DLLC03CI)。在测试中,IPP为20A(8/20us波形)的浪涌冲击的箝位电压为VC为16V,较低的寄生电容小于1.5PF,极低的漏电(N安级)。较强的静电能力:IEC61000-4-2(ESD)immunitytestAirdischarge:±30kVIEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。为您解决更严格的测试要求提供适合的的解决方案。常州鼎先电子有限公司DLLC03CI3.3V低电容瞬变二极管阵列系列电压:3.3V5V8V12V15V24V双向通道单路,双向器件电压-反向关态(典型值)3.3V漏电流IR100nA典型值,VRWM=3.3V电压-击穿(下限)4VIT=1mA电压箝位@Ipp16VIPP=20A(8x20µspulse)电流-峰值脉冲(10/1000µs)20A(8/20µs)功率-峰值脉冲350W寄生电容1.2PFVR=0V,f=1MHz工作温度-55°C~150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装SOD-3233000PCS/Reel应用高速通信数据线浪涌防护,千兆以太网防雷保护系列电压:3.3V5V8V12V15V24V)
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