编辑：LMOS管（MOSFET）的发热情况：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，9N90_原装现货供应，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4.MOS管的选型有误，原装现货供应，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，25N120原装现货供应，导致开关阻抗增大。编辑：LMOSFET（场效应管）的主要参数：1.开启电压VT·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管，6N65原装现货供应，VT约为3~6V;·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。2.直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。编辑：LASEMI低压MOS管A29T/3402N道MOS管30V型号：A29T/3402封装：SOT-23漏极电流（VDS）：4A漏源电压（ID）：30V工作温度：-55℃~150℃封装形式：贴片种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）品牌：ASEMI晶体管有N型channel所有它称为N-channelMOS管，或NMOS。P-channelMOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。6N65原装现货供应-ASEMI-原装现货供应由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。强元芯电子——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层，联系人：李绚。同时本公司还是从事贴片整流桥，贴片整流桥品牌，ASEMI品牌贴片整流桥的厂家，欢迎来电咨询。)