编辑：LMOSFET（场效应管）的主要参数：3.漏源击穿电压BVDS·在VGS=0(增强型)的条件下，6N60原装现货供应，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，24N50原装现货供应，源区中的多数载流子，原装现货供应，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID编辑：LMOSFET（场效应管）的主要参数：1.开启电压VT·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。2.直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。编辑：LASEMI品牌TO-220MOS场效应晶体管100N10型号：100N10封装：TO-220AB漏极电流（VDS）：100A漏源电压（ID）：100V工作温度：-55℃~150℃封装类型：插件种类：场效应晶体管/MOSFET品牌：ASEMI场效应管通过投影P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。9N90原装现货供应-ASEMI-原装现货供应由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司实力不俗，信誉可靠，在广东深圳的二极管等行业积累了大批忠诚的客户。强元芯电子带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入辉煌，共创美好未来！同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。)