编辑：LASEMI品牌10N60MOS场效应管10A600V插件封装类型型号：10N60封装：TO-220AB漏极电流（VDS）：10A漏源电压（ID）：600V工作温度：-55℃~150℃种类：N沟道增强型场效应管品牌：ASEMIMOS管的source和drain是可以对调的，原装现货，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。编辑：LMOSFET（场效应管）的主要参数：3.漏源击穿电压BVDS·在VGS=0(增强型)的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，24N50原装现货，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID编辑：LMOS管（MOSFET）的发热情况：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，6N60原装现货，也可能发热严重，10N60原装现货，需要足够的辅助散热片。4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。10N60原装现货-原装现货-ASEMI由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司是从事“整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快***二极管”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：李绚。同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。)