编辑：LASEMI低压MOS管A09T/340030V的N道MOS管型号：A09T/3400封装：SOT-23漏极电流（VDS）：5.8A漏源电压（ID）：30V工作温度：-55℃~150℃封装形式：贴片种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）品牌：ASEMI在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，25N120插件封装MOS管，电路设计师必须认定一个是drain另一个是source。编辑：LASEMI低压MOS管A29T/3402N道MOS管30V型号：A29T/3402封装：SOT-23漏极电流（VDS）：4A漏源电压（ID）：30V工作温度：-55℃~150℃封装形式：贴片种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）品牌：ASEMI晶体管有N型channel所有它称为N-channelMOS管，或NMOS。P-channelMOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。编辑：LMOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：6.导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，插件封装MOS管，RON的数值很大，6N60插件封装MOS管，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内ASEMI-90N10插件封装MOS管-插件封装MOS管由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。强元芯电子——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层，联系人：李绚。同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。)