编辑：LMOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：6.导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，场效应晶体管，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内编辑：LMOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：7.极间电容·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1~3pF，CDS约在0.1~1pF之间8.低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝(dB)。这个数值越小，25N120场效应晶体管，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小编辑：LASEMI低压MOS管A09T/340030V的N道MOS管型号：A09T/3400封装：SOT-23漏极电流（VDS）：5.8A漏源电压（ID）：30V工作温度：-55℃~150℃封装形式：贴片种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）品牌：ASEMI在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，9N90场效应晶体管，载流子流出source，24N50场效应晶体管，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须认定一个是drain另一个是source。24N50场效应晶体管-ASEMI(在线咨询)-场效应晶体管由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟***图标，可以直接与我们***人员对话，愿我们今后的合作愉快！同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。)