编辑：LASEMI品牌24N50MOS场效应管插件封装类型MOSFET型号：24N50封装：TO-247/3P漏极电流（VDS）：24A漏源电压（ID）：500V工作温度：-55℃~150℃种类：场效应晶体管品牌：ASEMI场效应管(FET)，24N50_品质mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。编辑：LASEMI低压MOS管A29T/3402N道MOS管30V型号：A29T/3402封装：SOT-23漏极电流（VDS）：4A漏源电压（ID）：30V工作温度：-55℃~150℃封装形式：贴片种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）品牌：ASEMI晶体管有N型channel所有它称为N-channelMOS管，25N120品质mos管，或NMOS。P-channelMOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。编辑：LMOSFET（场效应管）的主要参数：3.漏源击穿电压BVDS·在VGS=0(增强型)的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，品质mos管，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，90N10品质mos管，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID24N50品质mos管-ASEMI-品质mos管由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司为客户提供“整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快***二极管”等业务，公司拥有“ASEMI,MHCHXM”等品牌，专注于二极管等行业。，在深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：李绚。同时本公司还是从事贴片整流桥，贴片整流桥品牌，ASEMI品牌贴片整流桥的厂家，欢迎来电咨询。)