编辑：LMOSFET（场效应管）的主要参数：4.栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，场效应晶体管，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5.低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内编辑：LMOS管（MOSFET）的工作原理之发热分析：做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，6N65场效应晶体管，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，24N50场效应晶体管，MOS管的开关速度应该比三极管快编辑：L如何区分MOS管的源极和漏极？MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，10N60场效应晶体管，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。6N65场效应晶体管-ASEMI-场效应晶体管由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟***图标，可以直接与我们***人员对话，愿我们今后的合作愉快！同时本公司还是从事贴片整流桥，贴片整流桥品牌，ASEMI品牌贴片整流桥的厂家，欢迎来电咨询。)