编辑：LMOSFET（场效应管）的主要参数：1.开启电压VT·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V。2.直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。编辑：LASEMI品牌10N60MOS场效应管10A600V插件封装类型型号：10N60封装：TO-220AB漏极电流（VDS）：10A漏源电压（ID）：600V工作温度：-55℃~150℃种类：N沟道增强型场效应管品牌：ASEMIMOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，该怎么选型，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。编辑：LMOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：6.导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，24N50_该怎么选型，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，6N65该怎么选型，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，25N120该怎么选型，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内24N50该怎么选型-ASEMI-该怎么选型由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。强元芯电子——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层，联系人：李绚。同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。)