编辑：LMOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：6.导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，9N90品质MOS管，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，6N65品质MOS管，RON的数值在几百欧以内编辑：LASEMI品牌MOS管SYM601600VMOSFET型号：SYM601封装：SOT-89漏极电流（VDS）：1A漏源电压（ID）：600V工作温度：-55℃~150℃封装形式：贴片种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管品牌：ASEMIMOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORKFUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。编辑：LMOSFET（场效应管）的主要参数：3.漏源击穿电压BVDS·在VGS=0(增强型)的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，品质MOS管，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，90N10品质MOS管，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID90N10品质MOS管-品质MOS管-ASEMI(查看)由强元芯电子（广东）有限公司提供。行路致远，砥砺前行。强元芯电子（广东）有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为二极管具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!同时本公司还是从事贴片整流桥，贴片整流桥品牌，ASEMI品牌贴片整流桥的厂家，欢迎来电咨询。)