编辑：LMOS管（MOSFET）的发热情况：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，10N60_场效应管，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，90N10场效应管，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。编辑：LASEMI原装20N10插件MOSFET（场效应管）型号：20N10封装：TO-220AB漏极电流（VDS）：20A漏源电压（ID）：100V工作温度：-55℃~150℃封装形式：插件种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管品牌：ASEMI首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsicsilicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。编辑：L如何区分MOS管的源极和漏极？MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，场效应管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。90N10场效应管-场效应管-ASEMI(查看)由强元芯电子（广东）有限公司提供。行路致远，砥砺前行。强元芯电子（广东）有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为二极管具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。)