方箱PECVD简介

该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。

设备概述：

1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；

2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；

3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到

（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；

6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；

7. 沉积工作真空：13-1300Pa；

8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

9.射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，全自动匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。

11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。

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化学气相沉积的应用

现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料。但是，我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。钯的化学气相沉积Pd及其合金对氢气有着极强的吸附作用以及特别的选择渗透性能，是一种存储或者净化氢气的理想材料。因此，无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。

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化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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钯的化学气相沉积Pd 及其合金对氢气有着极强的吸附作用以及特别的选择渗透性能，是一种存储或者净化氢气的理想材料。对于Pd 的使用大多是将钯合金或是钯镀层生产氢净化设备 。期望大家在选购化ICP刻蚀机时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。也有些学者使用化学气相沉积法将钯制成薄膜或薄层。具体做法是使用分解温度极低的金属有机化合物当做制备钯的材料，具体包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之类的材料，使用这种方式能够制取出纯度很高的钯薄膜。

物***相沉积和化学气相沉积的区别

化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。

物***相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。

物***相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。

化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的绕射性好

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