MBE分子束外延系统介绍

设备用途：

分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度。

设备组成：

该系统主要由真空获得系统、外延生长系统（外延室）、快速进样系统（进样室）、高能电子衍射系统、电器控制系统、计算机控制系统等组成。

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MBE分子束外延法介绍

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分子束外延是种物理沉积单晶薄膜方法。在超高真空腔内，分子束外延，源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解，电子束加热蒸发等方法，产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后，经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。生长系统配有多种监控设备，可对生长过程中衬底温度，分子束外延厂家，生长速度，膜厚等进行瞬时测量分析。对表面凹凸、起伏、原子覆盖度、黏附系数、蒸发系数及表面扩散距离等生长细节进行准确监控。由于MBE 的生长环境洁净、温度低、具有准确的原位实时监测系统、晶体完整性好、组分与厚度均匀准确，是良好的光电薄膜，半导体薄膜生长工具。

MBE分子束外延技术的发展

分子束外延自20世纪60年代末在真空蒸镀的基础上产生以来，发展十分迅速。其中之一是引入气态的分子束源，构成所谓化学束外延(CBE)。用磷烷(PH3)生长InGaAsP等四元材料，或将金属有机化合物引入分子束源形成所谓金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。这两项新技术是把MBE和发展很快的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术相结合，进一步改进了MBE的生长和控制能力。

把分子束外延和脉冲激光结合起来，发展成所谓激光分子束外延(L-MBE)技术。它是用激光照射靶来代替分子(原子)束源，分子束外延价格，更容易实现对蒸发过程准确的控制，显示了比常规分子束外延更加广阔的应用前景。

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