分子束外延设备介绍
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分子束外延设备有很多种。但就其主要结构而论是大同小异的。分子束外延的设备较其他外延技术的设备复杂,要包括超高真空系统努森箱及各种分析仪器。从MBE技术的发展过程看,当初主要是为开发以GaAs为中心的Ⅲ-V族化合物半导体,而后是针对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体,分子束外延设备生产厂家,正转向针对Si半导体器件的应用开发。从MBE装置的角度看,逐步从单纯研究用装置向批量生产用装置进展。
分子束外延系统简介
设备名称:分子束外延系统(MBE,Molecular Beam Epitaxy System)。
设备功能:分子束外延系统,提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备;分子束外延工艺,是一种制备单晶薄膜的技术,它是在适当的衬底与合适的条件下,沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
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MBE分子束外延的特点
分子束外延与其他外延方法相比具有如下的特点:
1)源和衬底分别进行加热和控制,生长温度低,如GaAs可在500摄氏度左右生长,可减少生长过程中产生的热缺陷及衬底与外延层中的杂质的扩散,可得到杂质分布陡峭的外延层;
2)生长速度低,分子束外延设备价格,可以利用快门精密的控制掺杂、组合和厚度,是一种原子级的生长技术,有利于生长多层异质结构;
3)MBE生长不是在热平衡条件下进行的,是一个动力学过程,因此可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体;
4)生长过程中,表面处于真空中,利用附设的设备可以进行原位(即时)观测,分析、研究生长过程、组分、表面状态等。
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