真空炉的创造和发展对人类进步起着十分重要的作用。中国在商代出现了较为完善的炼铜炉，炉温达到1200℃，炉子内径达0.8米。在春秋战国时期，人们在熔铜炉的基础上进一步掌握了提高炉温的技术，从而生产出了铸铁。

1794年，沈阳真空设备厂，世界上出现了熔炼铸铁的直筒形冲天炉。后到1864年，法国人马丁运用英国人西门子的蓄热式炉原理，建造了用气体燃料加热的首台炼钢平炉。他利用蓄热室对空气和煤气进行高温预热，从而保证了炼钢所需的1600℃以上的温度。1900年前后，沈阳真空设备，电能供应逐渐充足，开始使用各种电阻炉、电弧炉和有芯感应炉。

了解真空镀膜机

真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，沈阳真空设备生产厂，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。

需要镀膜的被称为基片，镀的材料被称为靶材。 基片与靶材同在真空腔中。

蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面，通过成膜过程(散点-岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。 对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且***终沉积在基片表面，经历成膜过程，***终形成薄膜。

CdTe属一V族化合物半导体其结构与Si、Ge有相似之处，即其晶体主要靠共价键结合，但又有一定的离子性，与同一周期的W族半导体相比，沈阳真空设备厂家，CdTe的结合强度很大。因此，在常温下，CdTe半导体的导电性主要由掺杂决定。同时薄膜的组分、结构和热处理工艺对CdTe薄膜的电阻率和导电类型也有很大影响。

CdTe具有直接带隙结构。对于波长小于吸收限的光，CdTe膜有很高的光吸收系数，只要薄膜厚度达到识m左右，足以吸收hugt;1. 45eV的大部分阳光，从而降低了对材料扩散长度的要求。

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