但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理（见区域熔炼）。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。

工业上大量使用的是工业纯稀土金属，较高纯度的稀土金属主要供测定物理化学性能之用。制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为0。主要有四种提纯方法在试验室中使用，即真空熔融，真空蒸馏或升华，电迁移和区域熔炼。 稀土金属棒在区域熔炼炉中以很慢的速度（如提纯钇时为0.4毫米/分），进行多次区熔，对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有明显效果，但对氧、氮、碳、氢无效。此外，电解精炼、区熔－电迁移联合法提纯稀土也有一定效果。

　中国的***工业由于较长时期处于***计划经济体制，因此发展比较缓慢，特别是铂族金属起步更是比较晚，工艺技术比较落后，国内资源更是匮乏，直到改革开放以后，以上海黄金的开业为标志，在这三十年里，才得到了迅速的发展，出现了现货、纸黄金、纸白银等等的交易模式，为***者开打了通往财富的大门，更多的开辟了就业渠道，同时铂族金属的生产加工企业和流通领域的企业也似雨后春笋，蓬勃发展，使中国成为很大的的铂族金属进口和消费国。当仅仅将由金属氧化物组成的无机填料(D)作为填料与橡胶组分(A)混合时，导电橡胶能够得到降低色粉的物理粘附力的效果，但是不能将色粉充电至较高程度，因此不能提供足够的打印密度。