用于复印机和打印机等的带电辊、显影辊、色粉供给辊、转印辊等都必须具备适当的稳定的电阻值。

以往，使上述辊筒具有导电性的方法包括采用在橡胶中混入了金属氧化物粉末和碳黑等导电性填充剂的电子导电性橡胶的方法；采用聚氨酯橡胶、表氯橡胶等离子导电性橡胶(聚合物)或含有季铵盐等离子导电材料的离子导电性聚合物的组合物的方法。

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

超纯金属的检测方法极为困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级（10克/克）、微微克级（10克/克）杂质的确定。此外，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。

稀土矿冶炼方法有两种，即湿法冶金和火法冶金。

湿法冶金属化工冶金方式，全流程大多处于溶液、溶剂之中，如稀土精矿的分解、稀土氧化物、稀土化合物、单一稀土金属的分离和提取过程就是采用沉淀、结晶、氧化还原、溶剂萃取、离子交换等化学分离工艺过程。现应用较普遍的是溶剂萃取法，它是工业分离高纯单一稀土元素的通用工艺。所述整体测量机构包括一安装在机座上的驱动电机、一连接在驱动电机上的传动轴及一安装在传动轴的一端的接地端。湿法冶金流程复杂，产品纯度高，该法生产成品应用面广阔。