溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制；较高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与***均匀性、***（氧化物）含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。磁控溅射镀膜是一种新型的物相镀膜方式,就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。电子废料与黄金等***成品之间的差价是比较固定的，而金银做为***，不论在任何时候总是增值的，因此销售市场不存在问题。这种被镀的材料就叫溅射靶材。 溅射靶材有金属，合金，陶瓷化合物等。

精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量lt;0.5ppm。但是布线金属本身易氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si与SiO2等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与Si的化合物,充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。

各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。用于电子照相成像装置和喷墨成像装置的导电辊是通过将导电性泡沫弹性体包覆于导电性金属芯材的外周而制成的。因为金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。

钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。