区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。烧结法：ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。

烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。

ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，***需求量都很大。

背靶材料：

无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。 如果***适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。

钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。