使用电子导电性橡胶时，由于导电性填充剂添加量的***变化都会引发电阻剧烈变化，所以存在电阻值很难控制的问题。而且，由于橡胶中的导电性填充剂难以均匀分散，所以辊筒的圆周方向和宽度方向上的电阻值不均匀。

对橡胶组合物进行硫化处理的方法包括使用加压装置和硫化处理槽的间歇式或连续式硫化法。用间歇式硫化法进行硫化处理制造辊筒时，由于端部和***部分会产生压力和热传递差，所以电阻值不均匀。

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是***苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。该半导电辊的目的在于通过良好地平衡表面层和基层的电阻值而获得良好的静电充电特性。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。