储罐系统干燥和置换
储镶干燥和置换需用由液氮!临时气化系统提供来完成置换工作。|临时气化系统产生氮的气通过临时管道接入Tl 203 镶系统的氮气管网,再进储罐内部内罐内,控制其进入罐内的流量,保持内罐A 区、拱顶A 区与 B 区环隙空间压力平衡。氮气可绕储罐 A 区、泵井和B 区循环。向储罐引人时,将罐顶中心吹扫喷嘴上的阀门部分打开,以 将储罐压力控制在 8( ± 0 . 5)
k.Pa,并安全放空置换用氮气与空气的?昆合气体。液氮临时气化 系统{共应在开始时较低,在检查制氮装置的运行情况,且罐内形成氮气一空气界丽后,方可再缓慢纳加氮气供应量。
当内罐氧含量低于15%,对泵井管进行干燥和置换。氧含量低于8%,对 B 区进行干燥和置换。 在内罐的低于一20℃ 且氧含量低于4%时,完成 A 区的干燥和置换工作。当 B 区的露dian低于-10℃且氧含量低于 4%时,B 区完成干燥和置换。当 B 区的氧含:!Jt低于 8%时,管道置换氮气,宦 接把 B 区的 氮气导人 C 区进行干燥和置换。调节八区 、B 区的氧气排放口的开度,使此二区的压力不得超过 I5 kPa , B 区氮气将通过 raJ隙 渗透进罐底边缘板下部说凝土层及"'幅板下部的干砂到达内罐底中心部位,并通过初 级底部吹扫 1--l 排出 储嫌。
C 区进行干燥和置换过程中,燃气管道氮气置换,A 区、日区的压力必须控制始终大于 C 区的压力,以免产生储罐底部***。当C 区氧含量低于 8%时,可以对D 区进行氮气干燥和置换。当初级底部吹扫处l驭样点的氧含量低于4%时, C 区置换合格,继 续对 C 区进行干燥直至储罐及管道系统的氮气干燥置换工作全部完成。
D 区干燥和l 置换先打开底部平衡「l , 从B 区平衡系统国流口引入喧与D 区相接顶角平衡口,燃气管道氮气置换氧含量,再从底部平衡口置换出空气,控制 D 区的压力不可大于其它区的压力 ,同时保 持A 区、
B 区的压力不得超过 I 5kPa ,当底部平衡口处取样点的氧含于4%时,D 区置换合格,整个储罐完成干燥和置换。
(1)性气体
把自燃、、可燃气体等都定义为这类气体。如常温下的SiH4气体只要与空气接触就会燃烧,当环境温度达到一定时,PH3与B2 H6等气体也会产生自燃。可燃气体都有一定的着火燃烧范围,即上限、下限值。此范围越大的气体起燃烧***性就越高,如B 2H6的上限为98%,下限为0.9%。属于气体有H 2,NH3,PH3,管道氮气置换,DCS,ClF3 。
(2)毒性气体(Toxic Gas):半导体制造行业中使用的气体很多都是对******、***的。其中又以AsH3, B 2H6,PH3等气体的毒性***大,它们的阈限值TLV(Threshold Limited Valve)分别只有50×10-9,100×10 -9,300×10-9。这些气体在工作环境中的允许浓度极微,因此在贮存、输送以及使用的过程中都要求特别的小心。一般都应该采取特定的技术措施来控制使用这些气体。NO, ***F6,C5F8 ,NF3,CH 3F等都属于毒性气体。
(3)腐蚀性气体(Corrosive Gas):这些腐蚀性气体通常同时也兼有较强的毒性。腐蚀性气体在干燥状态下一般不易侵蚀金属,但在遇到水的环境下就显示出很强的腐蚀性,如HCl, HF, PCl3, SiF4,ClF3,WF6等。
(4)惰性气体(Inert Gas): 隋性气体本身一般不会直接对***产生伤害,在气体传输过程中,相对于安全上的要求不如以上其他气体严格。但惰性气体具有窒息特性,在密闭空间若发生泄漏会使人窒息而造成事故。属于这类的气体有C2 F6,CF4,SF6,CHF 3等。
(5)氧化性气体(Oxide Gas):这类气体有较强的氧化性,一般同时具有其他特性,如毒性或腐蚀性等。属于这类的气体有ClF3 ,Cl2,NF3等。
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