




离子镀
在真空条件下,利用气体放电使气体或被蒸发物质部分电离,并在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下,将蒸发物质或其反应物沉积在基片上的方法。可将离子发生源与工作室分离,克服了溅射镀膜为了持续放弧而必须保持较高的工作气压的缺陷,高能离子对衬底和沉积薄膜表面的轰击保证了薄膜的附着力和质量,是一种结合了蒸发镀膜和溅射镀膜优势的PVD技术。
根据离化方式的不同,常用的离子源有考夫曼离子源、射频离子源、霍尔离子源、冷阴极离子源、电子回旋离子源等。
镀层附着性能好
普通真空镀膜时,在工件表面与镀层之间几乎没有连接的过渡层,好似截然分开。而离子镀时,离子高速轰击工件时,能够穿透工件表面,形成一种注入基体很深的扩散层,离子镀的界面扩散深度可达四至五微米,对离子镀后的试件作拉伸试验表明,一直拉到快要断裂时,镀层仍随基体金属一起塑性延伸,无起皮或剥落现象发生,可见附着多么牢固,膜层均匀,致密。
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