在冶炼碳化硅时，之所以会出现粗细不均勾，主要在于炉心装置不均匀，例如尺寸不均、加压不均、有大块杂物等。另外，炉心下部料密度过低，造成炉心下沉多，易发生下沉不均现象；炉心上部料高度不均造成对，炉心的压力不均等都会引起结晶筒的粗细不均勾。采用小炉心时，这一现象更易发生。

炉心截面小的地方电阻大，硅球规格，电流通过时产生热量多，炉温较高，sic分解层增厚，炉心扩大的结果使炉阻减小的速度较快。反之炉心截面大的地方，硅球供应商，由于sic分解而造成的炉心扩大就比较慢。这样就自动缩小了炉心截面积之间的差距。但是这种自动调节作用也有一定的限度。

高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管、场效应管和各种集成电路（包括人们计算机内的芯片和CPU）都是用硅做的原材料。

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碳由于其对钢的性能的影响常被称为“控制者”。虽然碳本身不具有强度和硬度，但是在固溶体中作为铁的碳化物Fe3C，碳是强度和硬度的首要控制元素。碳的主要作用是，在钢中随着含碳量的增加，可提高钢的强度、硬度和淬透性；但降低塑性、韧性、磁性和导电性能。碳和钢中某些合金元素化合形成各种碳化物，对钢的性能产生不同的影响。

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