碳化硅理化性质：因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度（约2700 °C），碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高大电流密度，在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅。碳化硅材料的应用领域也因其分类的差异而不同，关于碳化硅我们先介绍到这里。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。大家在日常对各类碳化硅有需要就联系我们吧。

碳化硅物质结构：绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨刀具。此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。碳化硅有两种制作工艺：一种为新料法（多用于制作黑碳化硅）；另一种为焙烧料法。（多用于制作绿碳化硅）。虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，但直至今日，此型态尚未有商业上之应用。

碳化硅制作工艺：高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉，其结构由炉底、内面镶有电极的端墙、可卸式侧墙、炉心体(全称为：电炉中心的通电发热体，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形状与尺寸安装在炉料中心，一般为圆形或矩形。其两端与电极相连)等组成。本公司主导产品有：稀土硅铁镁合金、球化剂、硅钡钙脱氧合金系列、硅碳合金、碳化硅、金属硅粉、硅微粉、硅铁，产品畅销于国内多家大型钢铁企业和铸造企业。碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性,在一些应用上成为较佳的半导体材料:短波长光电器件,高温,抗幅射以及高频大功率器件。