双向可控硅属于NPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G

可控硅（又叫晶闸管）T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。

双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

可控硅按照不同的分类方法

可控硅按照不同的分类方法可分为不同的种类：

1、按关断、导通以及控制方式分类：可控硅按照关断、导通以及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

2、按照封装形式分类。

可控硅按照封装形式可以分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型，其中金属封装可控硅还有螺栓型、平板型、圆壳型等多种分类。而塑封可控硅又可分为带散热片型和不带散热片型两种。

3、按照引脚和极性分类。

可控硅按照引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

可控硅模块的防护措施:过电压保护

可控硅模块的防护措施：

过电压保护。

过电压可能会导致可控硅模块击穿，主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或者可控硅在导通与截止间的转换，对过电压保护可采取以下两种保护措施：

1、阻容保护。

阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅电路中的一种过电压保护方式，其实质就是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使得耗能元件的特性，将过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻将这部分能量消耗掉。

2、硒堆保护。

可以说，可控硅模块在弱点面前，还是比较容易损坏的，用户一定要注意做好以上保护措施。