双向可控硅属于NPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G

可控硅（又叫晶闸管）T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。

双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

可控硅按照不同的分类方法

可控硅按照不同的分类方法可分为不同的种类：

1、按关断、导通以及控制方式分类：可控硅按照关断、导通以及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

2、按照封装形式分类。

可控硅按照封装形式可以分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型，其中金属封装可控硅还有螺栓型、平板型、圆壳型等多种分类。而塑封可控硅又可分为带散热片型和不带散热片型两种。

3、按照引脚和极性分类。

可控硅按照引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

可控硅模块受损原因分析

可控硅模块受损原因

1、电压击穿。

可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。

2、电流损坏。

如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。

3、电流上升率损坏。

如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。

4、边缘损坏。

这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。