可控硅模块的防护措施

可控硅模块的防护措施：

一、过电流保护措施。

可控硅模块过电流的主要原因是过载、短路和误触发，常见的过电流保护有以下三种：

1、过电流继电器。

在电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路，但是由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以，只能用作可控硅的过载保护。

2、过载截止保护。

利用过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或者使得可控硅模块的导通角减小，或者干脆停止触发保护可控硅。

3、快速熔断器。

快速熔断器中的熔丝是银质的，只要选择得当，在同样的过电流倍数下，就可以在可控硅损坏前先熔断，从而保护了晶闸管。

可控硅模块的防护措施:过电压保护

过电压保护。

过电压可能会导致可控硅模块击穿，主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或者可控硅在导通与截止间的转换，对过电压保护可采取以下两种保护措施：

1、阻容保护。

阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅电路中的一种过电压保护方式，其实质就是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使得耗能元件的特性，将过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻将这部分能量消耗掉。

2、硒堆保护。

可以说，可控硅模块在弱点面前，还是比较容易损坏的，用户一定要注意做好以上保护措施。

可控硅模块在低温下运行的注意事项

可控硅模块的使用和周围的环境有一定的关系和影响。如果是在低温环境的情况下就须要注意一些事项才能保证其正常工作。

在-40℃条件下，要保证可控硅模块的正常运行，就须要有足够强度的晶闸管门极触发电流来保证设备的启动。

还应该依据现场环境温度考虑器件和散热器的选择。

如果设备频繁的启动、停止，应注意器件的寿命是否降低了。