可控硅模块的分类可控硅模块从X芯片上看,可以分为可控模块和整流模块两大类,从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机专用模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等。
可控硅主要技术参数:
1、额定通态电流也就是*大稳定工作电流,俗称电流,常用可控硅的额定通态电流一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压(VRRM)或者断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压,常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3、控制极触发电流(IGT),俗称触发电流,常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4、额定正向平均电流。也就是在规定温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
可控硅与其他设备一样,在实际使用时会因为自身功耗出现发热的现象,在这种情况下,如果不采取适当措施将热量散热出去,就会引起模块管芯PN结温度急剧上升,使得器件特性恶化,导致完全损坏。所以,可控硅模块温度保护显得尤为必要。
一般来说,可控硅模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成,在工频或者400Hz以下频率的应用中主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作,设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要,千万不可大意!散热器的常用散热方式有:自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是:控制模块中管芯的结温不超过产品数据表给定的额定结温。
可控硅模块(晶闸管)的耐压问题
对于可控硅模块也许我们不是很了解,但是这并不代表我们在平时的生活中的运用就不广泛,下面我们就来介绍下可控硅模块的相关问题。
对于可控硅模块的安装有一定的要求,在高压电机软启动中使用的晶闸管也因单只晶闸管耐压不够要串联运行,当晶闸管的额定电压小于实际要求时,可以用两个以上同型号器件相串联。但是并不是串联所承受的电压就是相等的,会存在电压分配不均的问题,在进行使用和安装的时候要特别注意这个因素。
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