可控硅模块的主要参数介绍

可控硅模块在控温、调光、励磁、电镀、充放电、电焊机、等离子拉弧等领域有着广泛的应用，它能够起到对电力能量大小进行调整与变换的作用，在工业、通讯、等场合作用大，但是，在实际应用中，仍然有人对可控硅模块不是特别了解，今天，小编就可控硅模块的主要参数进行简单介绍介绍。

可控硅模块的主要参数：

(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

(2) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

(3) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

(4) 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所需的阳极正向电流。

(5)控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的控制极电流和电压。

单向可控硅的区分方法:先任意测量两个极

单向可控硅与双向可控硅的区分方法：

先任意测量两个极，如果正、反测指针均不动，可能是A、K或者G、A极（对单向可控硅）也可能是T1、T1或T2、G极（对双向可控硅），如果其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅，且红笔所接为K极，黑笔接的是G极，剩下的则为A极，如果正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅，再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

可控硅模块受损原因分析

可控硅模块受损原因

1、电压击穿。

可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。

2、电流损坏。

如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。

3、电流上升率损坏。

如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。

4、边缘损坏。

这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

可控硅模块整流器的特点

可控硅整流器是一种以可控硅模块为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器，这种装置在目前的电子器件中运用是较为广泛的，因为它自身具备很多优点。

可控硅整流器所能承受的电压和电流容量非常大，并且运行速度快，达到了用秒计算的速度运行。

可控硅整流器运行，并且是一种环保没污染性的材料，自身体重较轻，体积也较小，便于携带和操作。