双向可控硅属于NPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G

可控硅（又叫晶闸管）T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。

双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

普通可控硅(晶闸管)实质上属于直流控制器件

普通可控硅(晶闸管)实质上属于直流控制器件。要控制交流负载，必须将两只晶闸管反极性并联，让每只SCR控制一个半波，为此需两套***的触发电路，使用不够方便。

双向晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

可控硅模块受损原因分析

可控硅模块受损原因

1、电压击穿。

可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。

2、电流损坏。

如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。

3、电流上升率损坏。

如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。

4、边缘损坏。

这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

可控硅模块的防护措施

可控硅模块的防护措施：

一、过电流保护措施。

可控硅模块过电流的主要原因是过载、短路和误触发，常见的过电流保护有以下三种：

1、过电流继电器。

在电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路，但是由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以，只能用作可控硅的过载保护。

2、过载截止保护。

利用过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或者使得可控硅模块的导通角减小，或者干脆停止触发保护可控硅。

3、快速熔断器。

快速熔断器中的熔丝是银质的，只要选择得当，在同样的过电流倍数下，就可以在可控硅损坏前先熔断，从而保护了晶闸管。