宏钜金属(图)-半导体蒸镀用高纯银颗粒-高纯银
作者:宏钜金属2019/12/28 4:05:19





名 称:铅

符 号:Pb

原子量:207.2

熔 点:327.5℃

沸 点:1749℃

密 度:11.34g/cm3

铅为带蓝色的银白色***,质地柔软,抗张强度小。我公司可以同5N,6N高纯铅,棒材,颗粒等形态

高纯铅 Pb 4N-5N靶材

高纯铅 Pb 5N 颗粒 1-10mm

高纯铅 Pb 5N 6N 棒材 φ20mm

我公司还可以提供碲化铅,硫化铅等高纯度半导体化合物材料。

碲化铅 PbTe 5N 颗粒 块状 1-10mm

硫化铅 PbS 5N颗粒 块状 1-10mm

锆钛酸铅 PZT 5N 靶材 1-10mm






名 称:锗

符 号:Ge

原子量:72.61

熔 点:937.2℃

沸 点:2830℃

密 度:5.32g/cm3

锗为银***晶体,室温下晶体锗质脆;有明显的非金属性质。高纯单晶锗是制造晶体管和红外器件,光纤,太阳能电池的半导体材料。

高纯锗 Ge 5N 6N 靶材 根据要求定制

高纯锗 Ge 5N 粉末 -60目

高纯锗 Ge 5N 6N 颗粒 1-6mm

高纯锗 Ge 5N 6N 柱状 φ3-50mm

高纯锗合金在半导体行业有着非常重要的应用,高纯银颗粒 银合金颗粒定制,我们可以提供金锗合金,金锗镍合金用于蒸发电极等方面,加工定制高纯银粒-银块,也可以提供锗的化合物:氧化锗,碲化锗合金及化合物

二氧化锗 GeO2 5N 6N 粉末 颗粒

金锗合金 AuGe12 4N 靶材 片状

金锗镍合金 AuGeNi 4N 靶材 片状

碲化锗 GeTe 4N 靶材






名 称:镍

符 号:Ni

原子量:58.69

熔 点:1455℃

沸 点:2732℃

密 度:8.908g/cm3

高纯镍是指纯度在4N以上的金属镍,主要制备方法有:羰基法,半导体蒸镀用高纯银颗粒,电解熔炼法,浸出精炼法等。

高纯镍具有良好的延展性,中等硬度,有铁磁性,化学性质较活泼。主要用于溅射靶材,磁性薄膜,特殊电子材料和合金材料等行业!

我公司可提供5N高纯镍,采用美国进口原料。主要用于生产高纯度溅射靶材和金属颗粒,高纯银,用于高纯度合金熔炼,蒸发镀膜等领域。

高纯镍 Ni 4N 4N5 5N 靶材

高纯镍 Ni 3N 粉末 3um-200目

高纯镍 Ni 4N 5N 棒状 圆台状 φ3*6mm 6*6mm 可定制

高纯镍 Ni 3N5 4N 丝状 φ0.1-5mm

高纯镍 Ni 3N 4N5 箔片状 0.03-10mm

镍基合金是非常重要的合金材料,其中典型的有镍铬合金,镍铁合金,镍铬钴合金,铜镍合金,钛镍合金等。常规材料如下:

另外我们还可以提供氧化镍粉末及氧化镍靶材!

镍铁合金(坡莫合金)NiFe

NiFe20 3N靶材 颗粒

镍铬合金 NiCr20 3N 3N5 靶材 颗粒

镍钒合金 NiV7 3N 靶材 颗粒

氧化镍 NiO 4N 靶材 粉末 -200目






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