不是一个自触发电路、一个光耦触发电路就能解决好的问题。现在市场上可控硅开关、动态补偿开关等都是走的简化电路，追求的是低成本，主要投切30kvar大小的电容器。这种投切开关，对电容器的寿命仍然影响严重，电容器的切除过电压高达2000V，可控硅开关质量不会乐观，故障率很高。方案可控硅投切电容器，涉及电力电子的精密过零技术，投切过程中还要涌流、过电压的问题。精密过零、动态放电、瞬态保护这三个技术难关不好，故障率仍会居高不下。解决好这三个问题，电容器会受到很好的保护，比其他投切方式会延长一倍的寿命。解决不好这三个难题，快速熔断器就取消不了，企业用户频繁更换快速熔断器，费用是难以承受的。

1、电热电容的阴极接地，若是在电炉的使用过程中，电热电容出现绝缘不好的情况，就会发生电容阴极接地而致使电容外壳击穿，若是出现这种情况，就需要对电容柜的绝缘进行重新处理；2、缺水，中频电炉在长期的使用过程中，中频炉可能会在电容的冷却管里结水垢或者进水系统进入杂物堵塞而导致电热电容过热而烧坏。所以在使用过程中要注意观察电热电容冷却水的流量，若是出现流量异常，就应该采用相应的措施；3、中频电压过高，中频熔炼炉在长期的使用过程中，若把中频电压调的过高，高于电热电容的额定电压（电热电容的额定电压有750V、1200V等常用规格），会造成电热电容过电压击穿。

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我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦(decoupling)电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻(特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹)，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是耦合。去耦电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。去耦和旁路都可以看作滤波。去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。