3．1．3 金属一陶瓷封装它是以传统多层陶瓷工艺为基础，以金属和陶瓷材料为框架而发展起来的。其特征是高频特性好而噪音低而被用于微波功率器件，如微波毫米波二极管、微波低噪声三极管、微波毫米波功率三极管。正因如此，它对封装体积大的电参数如有线电感、引线电阻、输出电容、特性阻抗等要求苛刻，故其成品率比较低；同时它必须很好地解决多层陶瓷和金属材料的不同膨胀系数问题，这样才能保证其可靠性。金属一陶瓷封装的种类有分立器件封装包括同轴型和带线型；单片微波集成电路(MMIC)封装包括载体型、多层陶瓷型和金属框架一陶瓷绝缘型。

虽然等离子刻蚀设备在集成电路制造中得到了广泛的应用，离子刻蚀设备但由于等离子刻蚀过程中的物理化学过程复杂，它是理论上模拟和分析等离子刻蚀过程的有效方法，但目前还没有。除蚀刻外，等离子技术已成功应用于其他半导体工艺，例如溅射和等离子化学气相沉积 (PECVD)。

产品寿命长，能耐高低温及高湿度等恶劣环境。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本，当然也有其它的因素如环保要求迫使他们改变封装型式。

通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。

学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

湿法刻蚀机台,适用于半导体湿法刻蚀工艺,包括:支撑结构,支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆;待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离,支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴;控温加热装置,连接边缘的气体喷嘴的气体管路,以加热气体管路内的保护气体;喷嘴装置,设置于支撑面的上方,喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管,喷嘴设置于朝向支撑面的一面,液体输送管连接喷嘴背向支撑面的一端。