芯片线宽的缩小对刻蚀本身的准确度以及重复性有了更为严苛的要求。多次刻蚀要求每一个步骤的准确度足够高，才能使得整体生产的良率保持在可接受范围内，因此除了对于刻蚀整体步骤数有明显增加外，还对每一步的刻蚀质量有了更高的要求。端制程占比持续提升的大背景下，晶圆厂对于刻蚀本身的资本开支也在大幅提升，在整体制造工艺未发生较大变化的情况下，晶圆代工厂中刻蚀设备的占比将持续提升。

SSEC单片处理技术使得晶圆在湿法处理时实现了对另一面的保护隔离了液体、水汽、物理的接触。应用范围包括单面湿法刻蚀、背部剥离、斜面清洗、晶圆减薄。对晶圆背部的处理取决于具体的应用。对于背部的清洗，将装有边缘夹具。对于晶圆减薄的应用，将使用真空吸附进行晶圆固定。

学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

湿法刻蚀机台,适用于半导体湿法刻蚀工艺,包括:支撑结构,支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆;待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离,支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴;控温加热装置,连接边缘的气体喷嘴的气体管路,以加热气体管路内的保护气体;喷嘴装置,设置于支撑面的上方,喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管,喷嘴设置于朝向支撑面的一面,液体输送管连接喷嘴背向支撑面的一端。