化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

苏州晶淼是一些多年从事半导体湿法设备研发、制造的人员，因共同的理念，共同的信念，共同的使命感，聚拢在一起的团队。晶淼专于制造，用心细节，以客户为中心，视口碑为生命，以进取奋斗为本；视提升、超越、发展个人价值，更好服务社会为人生意义所在。，严谨，真诚，守信、团队合作，开放进取。晶淼必将是湿制程设备，未来的者！

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通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。

学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

刻蚀工艺顺序位于镀膜和光刻之后。简单来说，刻蚀机的作用就好像是雕刻中的刻刀一样，利用光学-化学反应原理和化学、物理等刻蚀方法，将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除，留下的就是晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶。然后再多次重复上述步骤，就可得到构造复杂的集成电路。