离子刻蚀设备在光刻胶涂层和光刻显影后，将光刻胶用作掩模，通过物理溅射和化学作用去除不需要的金属，从而得到与光刻胶图案相同的线条形状。目前，等离子刻蚀设备是主流的干法刻蚀方法，由于刻蚀速度快、定向性好，正在逐步取代湿法刻蚀。影响氮化硅侧壁刻蚀角度的参数：在半导体集成电路中，真空等离子刻蚀设备的刻蚀工艺不仅可以刻蚀表面层的光刻胶，还可以刻蚀下层的氮化硅层。

硅晶片的化学蚀刻是通过将晶片浸入蚀刻剂中来完成的，该蚀刻剂传统上是稀释剂或苛性碱溶液的酸性混合物。报道了苛性结晶学蚀刻的各种研究.然而，本文只关注基于酸的蚀刻的传输和动力学效应。实际的反应机理相当复杂，涉及许多基本反应。氢和不同的氮氧化物会产生。已经提出了许多不同条件下硅片溶解的速率方程。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

腐蚀机对功率半导体器件中半导体芯片进行腐蚀加工均采用人工操作，即先人工将半导体芯片除台面外的两面涂黑蜡保护，再人工将半导体芯片台面进行腐蚀、清洗，人工用有机物去除黑蜡、清洗、烘干。现有人工对半导体芯片台面进行腐蚀不仅存在手工涂蜡浪费人力及有机物的问题，而且还存在不能在保持芯片干净的情况下直接进行烘干的问题。

湿法腐蚀机用途主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影，湿法腐蚀，清洗，冲洗，甩干与光刻、烘烤等设备配合使用。设备能满足各类以下尺寸的基片处理要求，并配制相应的托盘夹具。湿法腐蚀机特点是外观整洁、美观，占地面积小，节省超净间的使用面积。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。