公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

半导体工艺制程不断缩小，MOS器件尺寸随之不断减小，当达到纳米级别后，受功耗密度、散热效率等因素影响，传统MOS器件出现一系列性能问题，性能与可靠性会退化，无法满足集成电路要求。围栅硅纳米线MOS器件具有优良的栅控能力，在保持性能与可靠性方面更具优势，且具有良好的CMOS工艺兼容能力，因此成为MOS器件的重要发展方向。

MOS管是利用VGS去控制“感应电荷”的多少，由此去改变由这些“感应电荷”所形成的导电沟道的状况，以此来控制漏极电流。在管子制造时，通过一些特殊工艺使得绝缘层出现大量的正离子，所以在交界面另一侧可以感测出比较多的负电荷，高渗杂质的N区被这些负电荷接通，导电沟道也就形成了，即便在VGS为0时也会有比较大的漏极电流ID。如果栅极电压发生改变时，沟道里的被感应电荷量也会发生改变，导电沟道中的宽窄也会随着改变，因此漏极电流ID会伴随着栅极电压的变化而发生变化。

mos管有的时候也称作绝缘栅场效应管,因为它归属于场效应管中的绝缘栅型,全名是金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管,是一种能够普遍应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。依据其“通道”(工作载流子)的极性差异,可分成“N型”与“P型”的两个类型,也就是常说的Nmos、Pmos。