公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

参考电压可以来自于采样电阻，也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。

刚开始的时候，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，可以使管子迅速导通，在很短时间后，当电流增大逐步达到某个值时，参考电压迅速上升，与控制电压接近并超过时，比较器就输出低电平（接近0V）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后周而复始。

用电源IC立即驱动MOS管

一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定：

（1）开关管启用瞬间，驱动电路应能输出非常大的电流，使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值，确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。

（2）电源开关通断期内，驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持，且有效通导。

（3）关闭一瞬间驱动电路，能供应一个尽量低阻抗的通道，供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流，确保开关管能迅速关闭。

（4）驱动电路构造简易靠谱、耗损小。

（5）依据具体情况开展防护。

在控制模块电源中，常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中，应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大，电源IC內部的驱动能力又不够时，必须在驱动电路上提高驱动能力，常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。

 跟双旋光性晶体三极管对比，一般觉得使MOS管导通不用电流量，只需要GS电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易，我们主要是需要一定的速率。

     对于MOS管的结构来说，我们可以发现在GS、GD里会有一些寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了，由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路，这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计MOS管驱动电路方案的时候，首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。