一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降i压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员关心的是MOS的传导损耗。

判定栅极　

　　用万用表的黑表笔去触碰管子的随意一个电极，红表笔分别去触碰另外的两个电极。如果两次都测出的阻值较小，说明两者都是正向电阻，该管属于是N沟道的场效应管，黑表笔接触的一样也是栅极。

制作的过程中就决定了场效应管的漏极和源极是对称的 ，可以互相交换使用 ，并不会影响电路的使用，电路此时也是正常的，所以不用去过度区分。漏极和源极之间的电阻大约是几千欧。不能使用这个方法去判断绝缘栅型场效应管的栅极。因为这管子输入的电阻是极高的，而且栅源之间的极间电容又是非常小的，测量的时候只要有少量电荷，就可以在极间电容上面形成极高的电压，管子将很容易损坏。