公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

半导体工艺制程不断缩小，MOS器件尺寸随之不断减小，当达到纳米级别后，受功耗密度、散热效率等因素影响，传统MOS器件出现一系列性能问题，性能与可靠性会退化，无法满足集成电路要求。围栅硅纳米线MOS器件具有优良的栅控能力，在保持性能与可靠性方面更具优势，且具有良好的CMOS工艺兼容能力，因此成为MOS器件的重要发展方向。

做电源电路，或是做推动领域的电源电路，免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型，也是有许多***。做开关电源或是推动的应用，自然便是用它的开关***。

不管N型或是P型MOS管，其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。MOS管是压控器件它根据加在栅极上的电流操纵器件的特点，不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用，因而在开关运用中，MOS管的开关速率应当比三极管快。

 MOSFET管有两个电极，一个是金属，另一个是外在硅，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。MOSFET管一般被生产制造为四种类型，分别是增强型和耗尽型、P沟道和N沟道这四种，但其实在实际的运用中一般只用增强型的N沟道和增强型的P沟道MOS管，因此一般情况下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是这两种。

     针对这两种增强型的MOS管，其中较为普遍使用的是NMOS —— 原因是增强型的N沟道MOS管的导通电阻更小，并且生产简便，因此在开关电源和电机驱动的运用中，我们一般使用增强型的N沟道MOS管。

     MOS管的三个管脚中有寄生电容的存在，虽然说这并不是大家所需要的，但其中生产制造加工工艺需要寄生电容的存在。有了寄生电容，这让其设计方案或挑选驱动电源电路的情况下会更麻烦一些，其中还没有解决的办法能避免。

     在MOS管的漏极和源极中有一个寄生二极管叫做体二极管，就驱动***负载来说，二极管对其十分重要。顺带说一句，体二极管只在单独的MOS管内存在，在集成电路芯片內部一般都是没有的。