相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。洁净室中的温湿度控制。洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。

设计净化系统***的原则是相邻二级过滤器的效率不能太接近，也不能相差太大。一般采用初效、中效、亚(或)三级过滤器。也可分四级，增加一级过滤器。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。现在我们***的经济科技在发展，同时带动了社会各行各业在告诉发展中。以净化工程这个行业为例，在目前呈现一片喜人的发展态势。

1000级一般只对尘埃浓度做要求，用于光学器件，仪器等高精仪器等10000级，用于液压设备的生产，和一些食品饮料的生产。100000级，这个级别比较的低，对净化度要求不是很高，主要在印刷厂，包装厂等。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。布置工艺的流程尽可能短，减少交叉往复，、物流走向合理。要配备人员净化室、物料净化室，除配备产品工序要求的用室外，还应配备洁具室、洗衣间、暂存室等，每间用室相互***，净化工程的面积应在保证基本要求前提下，与生产规模相适应。

在这里需要提醒大家的是自从我们***的方面的改革条文GMP-2010发布之后，既推动了生物和食品化工行业的发展，也间接的推动了净化工程行业的发展。而且相关方面的政策支持也让净化工程行业的发展机遇推到了。直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0。24um线性膨胀，所以必须有±0。1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间不宜超过25度。