碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢?
一、碳化硅器件的优势特性
碳化硅(SiC)是目前发展成熟的宽禁带半导体材料,对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从***层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
二、与普通硅相比,采用碳化硅的元器件有如下特性:
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍,碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏,且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
一般情况下,碳化硅在高温氧化气氛下的不稳定性是十分显著的,然而它却可以在1600℃的氧化气氛中长期使用。
碳化硅材料一般在空气中加热到1000-1300℃时,它仅稍微氧化,生成了sio2玻璃保护层。1300℃时保护层中开始结晶出方石英,相变引起了开裂,从而氧化速度有所增加。在1500-1600℃时,因二氧化硅保护层达到了一定的厚度,进一步的氧化作用停止了。 当达到1627℃以上时,就此发生了2sio2+sic=3sio+co。
不同的环境所发生的反应也有所不同,在使用碳化硅原材料的基础上,也应该对碳化硅原材料性能及使用方面有所了解,这样才能更好的生产出的碳化硅材料,例如:碳化硅球,碳化硅脱氧剂,碳化硅粒度砂等等。
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