碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂,1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是大家常说的艾奇逊炉,一直沿用至今,以碳质材料为炉芯体的电阻炉,通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。关于碳化硅的几个事件1905年 次在陨石中发现碳化硅。1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。1955年 理论和技术上重大突破,LELY提出生长碳化概念,从此将SiC作为重要的电子材料。1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展,这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高,要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展,基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此,以碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。***和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化的研发和产业化中,产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。
1 .碳化硅主要是由硅元素和碳元素组成,在熔炼过程中硅原子进入铁水中,而碳原子大多数被燃烧。
2.碳化硅应用在铸件中可以起到基底的作用。
3.碳化硅的应用既可以增硅,又可以增碳,也可以降低生产成本,同时改变石墨形态,使铸件的石墨长度变短,从而提高了铸件的整体质量。
4.碳化硅球在铸件生产中还可以起到孕育的作用。这为铸件的发展又提供了一项新技术,从而提高铸件的机械性能。
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