碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能化。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。

为了鉴定碳化硅的生成或其与周围介质发生化学反应的可能性，必须了解SIC的热力学性能。

不同生产研究者提出的碳化硅热力学常数，往往差异很大。因此，必须对原有的数据比较分析，才能得出可信的数据。比较分析过往的数值可以计算出碳化硅的热力学数据。对于耐火材料用碳化硅，可以有个非常明确的热力学性能可信值。

 通过上述热力学常数计算出的元素硅和碳生成碳化硅（Si+C=SIC)发生反应时自由能和热势的变化。当碳化硅处于固态的温度范围内（＜1683K），计算是按焦木金一斯瓦尔茨曼公式进行的，而在存在液态硅的范围内（1683~2800K），经过分析计算咱们可以得出结论：就热力学方面而言，在低于3000K温度下固态或液态硅与石墨相互反应便能生成碳化硅。

随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。***和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。