今后新型元器件发展的***是:
◆ 表面贴装元器件***发展金属电极片式陶瓷电容器、 片式电阻器、片式电感器、片式钽电容器和片式二、三极管。
◆ 厚膜混合集成电路(HIC)***开发和生产为通信产品、汽车电子等***类整机配套的产品,以及厚膜HIC用陶瓷基板。
◆ 敏感元器件及传感器***发展电压敏、热敏、气敏产品。
◆ 新型电力电子器件***发展VDMOS、SIT和IGBT。光电子器件***发展LCD、LED芯片、PDP等。
◆ 新型电源***发展镍氢电池、锂离子电池、聚化合物电池。
◆ 高频频率器件***发展高频声表面波器件、微波介质器件等。
电容器热设计涉及的问题比较复杂,除了电容器内的热源较多(电场作用下,产生热的不只是工作介质,还有极板、引线、辅助介质等)外,电容器内部的导热情况和热流方向错综复杂;介质的损耗角正切和电导随工作状态的变化;各部分能量损耗随诸多因素(散热系数、温度、电压、环境气流等)而改变等,很难用完整的计算来反映众多因素的共同影响。目前所应用的热计算理论都是在下列假设的基础上建立起来的。
(1)电容器内的热源主要是工作介质,而把其它部分的功率损耗忽略;
(2)电容器的散热热流方向(包括内部导热和外部散热的方向)只是垂直于电容器的侧面;
(3)电容器的表面散热系数是一个常数;
(4)工作介质的电导和损耗角正切与介质厚度、电压无关,它们与温度间呈指数关系,且忽略参数分散性;
(5)介质的介电常数与温度无关。
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