半导体是许多工业整机设备的，普遍应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等领域，半导体主要由四个部分组成：集成电路、光电器件、分立器件和传感器，其中集成电路在总销售额占比高达80%以上，是半导体产业链的领域。半导体清洗用于去除半导体硅片制造、晶圆制造和封装测试每个步骤中可能存在的杂质，避免杂质影响芯片良率和芯片产品性能目前，随着芯片制造程度的持续提升，对晶圆表面污染物的控制要求不断提高，每一步光刻、刻蚀、沉积等重复性工序后，都需要一步清洗工序。

干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，但可清洗污染物比较单一，目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势，目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。

一种半导体氧化设备,其配有:由室壁界定的可密封氧化室;设置于氧化室内,并用来支撑半导体样品的基座;用于向所述氧化室供应对所述

半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分;监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内,并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处;监测部分,其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品;以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。