中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述

“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种***电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关频率的能力，具有较少的开关和导通损耗。然而，为了充分利用它们的优势，了解WBG和Si的开关装置之间的内在差异并对WBG设备进行安全，有效地和可靠地研究有效手段至关重要。本文旨在为电力工程领域提供工程师了解WBG切换设备的驾驶需求，特别是对于中到高功率应用。首先，探讨了WBG开关装置的特性和操作原理及其在特定电压范围内的商业产品。接下来，寻址关于WBG交换设备的驱动电路设计的考虑，探索设计用于WBG交换设备的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“

厦门迎2个重磅“芯”平台

据厦门日报报道，近日，福建省集成电路产教融合创新发展联盟正式成立。该联盟由厦门大学发起，已发动福建省10余家高校、50余家企业、10余家研究机构及行业协会，共约100家单位组成。联盟届理事长由厦门大学委张荣担任。

该联盟致力于解决福建省集成电路产业人才供给与需求错位、产教脱节问题；充分发挥联盟成员在产教协同育人、技术研发与应用等方面的优势，推动基础技术创新和产业相关环节协同发展；切实加强集成电路产业人才的有效供给，为促进福建省集成电路产业的高质量发展贡献力量

光刻机制造商A***L预计涨价幅度在10%-15%

位于荷兰的半导体设备供应商 A***L 公布了第二季度业绩，显示供应链挑战、通货膨胀和地缘政治不确定性的不利因素，并暗示其机器价格可能会上涨。?

A***L 拥有 95% 的 DUV 设备市场份额，而中国还没有任何本土替代品。但是，还有其他竞争对手，如尼康和佳能可以向中国提供深紫外设备。因此，文宁克的评论主要是说，美国提出限制A***L继续向中国销售DUV，将让其竞争对手在中国市场获得更大的份额。

Wennink 看到（汽车领域）半导体含量翻了两番或五倍，工业领域、计算和汽车领域的需求依然强劲。他证实了“短期情况喜忧参半”，因为经济放缓，特别是在个人电脑和智能手机领域，并且在不同的半导体节点中，库存上升到 Covid 之前的水平是相当广泛的。据此初步判断，A***L涨价幅度预计在10-15%。