栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管

“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”

需求变弱，第3季DDR3与DDR4价格将季减3~8%

由于俄乌冲突、疫情以及高通胀等因素冲击消费性电子买气，其中属c***umer DRAM相关应用的笔电、电视出货面临下修，加上DDR3因价格属于相对高点，买方在库存与成本压力之下，购买力道明显收敛，预估DDR3与DDR4需求将同步下滑，市场拉货动能持续走弱。而韩厂对于退出DDR3供给的计划不变，但下半年仍有陆厂及台厂新增产能开出。在需求走弱，供给增加的情形下，卖方的议价优势不再，难以支撑第三季c***umer DRAM价格，预测DDR3与DDR4价格将季减3~8%。

恩智浦宣布关闭中国区***电源系统研发部门

据Analog_Dialogue爆料，恩智浦已经宣布关闭中国区APS（Advanced Power System ***电源系统）研发部门，原中国区的研发任务转至中国台湾和国外。

另外，研发人员安置方案为与公司内其他部门进行双向匹配，双向选择匹配成功的员工进行内部调动，除此之外无裁员赔偿方案。

据悉，该部门过去一年内人员稳定，研发业绩斐然，研发能力颇受美国团队的认可，并专注于消费电子类Power Delivery产品在中国的研发，拥有模拟电路设计工程师，模拟版图工程师， 数字电路设计工程师，数字电路验证工程师。