栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管

“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”

GaN功率元件市场规模至2025年将达8.5亿美元

电力电子行业封装材料的供应商贺利氏电子（Heraeus Electronics ），已加入美国电力研究所(PowerAmerica Institute），以推进宽带隙 (WBG) 半导体的使用。

Heraeus Electronics 的技术专长和 Power America Institute 的行业联系将加速新材料的开发并支持电力电子行业的扩张。此次合作将使下一代碳化硅和氮化电力电子产品更快向市场，降低与新一代技术相关的成本和风险因素。

11月，加拿大公司GaN Systems宣布与德国汽车大厂BMW已就确保氮化(GaN)晶体管产能达成协议，其产量预期能确保该车厂的供应链稳定。

该公司执行官Jim Witham在接受访问时表示，GaN Systems将会为多种应用提供一系列产能。

后，GaN技术本身也在不断取得突破。8月，Novel Crystal Technology, Inc宣布已成功将其高质量Ga2O3外延片制造技术扩大到100mm。这意味着Ga2O3功率器件现在可以在100mm的量产线上生产。

在异常耀眼的手机快充之外，GaN也开始渗透进电动车、无线充电、5G基础设施等领域，而SiC等其他半导体材料也在朝这些领域扩展。所以，与其他第三代材料构成竞争或互补的关系，将是GaN未来几年的发展走向。

京瓷：三年内***4500亿日元扩产

今年4月，京瓷集团董事长谷本秀夫对外表示，京瓷将***625亿日元在日本鹿儿岛川内工厂新建厂房。5月9日京瓷进一步表示，新工厂将于5月开始建设，2023年10月起有序投产，有机封装产量将大幅增加，同时用于晶体器件的封装产量将会根据市场动向进行增产。随着新厂房的投产，该厂有机封装的生产能力预计将是目前生产能力的4.5倍左右。

应对半导体和电动汽车相关的零部件需求激增情况，京瓷表示将从2021年起三年内***4500亿日元，用来扩增位于日本、东南亚等地的工厂生产设备，扩大供应能力。并考虑在泰国***、增产晶振等电子零件。在陶瓷基板部分，京瓷计划在目前已拥有2栋厂房的越南工厂内增设第3栋厂房，且也计划扩增日本鹿儿岛等地的工厂产能。

2021年10月，京瓷宣布计划在越南兴建半导体封装的全新厂房，***额规模估计约100亿日元。新厂目前尚处详细设计阶段，计划在2022年底到2023年初间展开运作。

2021年11月，京瓷在鹿儿岛县国分工厂新设的第7-1工厂、第7-2工厂开始投入建设。表示，京瓷第7-1工厂、第7-2工厂将在2022年10月、2023年10月依次开始投产，鹿儿岛县国分工厂同类产品的生产能力将提升至原来的2倍左右。

SK海力士：Arm不是单靠一家公司就能收购得了另据韩媒报道，3月30日，SK海力士副会长朴钟浩表示，正在考虑通过组团方式来收购英国半导体设计企业Arm。

他强调“Arm不是单靠一家公司就能收购得了，因此公司正考虑和战略性***人筹组有意向的企业，来进行对Arm收购。”

对于何时启动收购计划，SK海力士方面则表示，当前仍处于在讨论参与Arm收购的初期阶段，暂时没有任何决定。