因为ADC要在越来越高的频率下工作，所以中频采样结构的功耗变得比头一种超外差结构越来越高，并因此而越来越昂贵，这是中频采样结构的较主要的缺点。由于这个原因，基于中频采样的射频结构往往更适合那些在相对低频或者中频的应用，毕竟这些频段对成本的影响不大。不过随着科技的发展，尤其是CMOS工艺的引进，使得集成高的性能的器件和电路的价格越来越低，在不远的将来，中频采样结构将不再是一种昂贵的选择。

射频识别技术依其采用的频率不同可分为低频系统和高频系统两大类；根据电子标签内是否装有电池为其供电，又可将其分为有源系统和无源系统两大类；从电子标签内保存的信息注入的方式可将其分为集成电路固化式、现场有线改写式和现场无线改写式三大类；根据读取电子标签数据的技术实现手段，可将其分为广播发射式、倍频式和反射调制式三大类。

射频连接器的分类和用途，射频连接器主要分为射频同轴连接器、射频三同轴连接器和双芯对称射频连接器三大类。主要用途如下：1、射频同轴连接器：主要用来传输横向电磁波（TEM波）；2、射频三同轴连接器：主要用于对屏蔽效率有更高要求的场合，传输横向电磁波（TEM波）或传输脉冲波；3、双芯对称射频连接器：主要用来传输速率不太高的数字信号。

微波的基本性质通常呈现为穿透、反射、吸收三个特性。例如：对于玻璃、塑料和瓷器，微波几乎是穿越而不被吸收。对于水和食物等就会吸收微波而使自身发热。而对金属类东西，则会反射微波。从电子学和物理学观点来看，微波这段电磁频谱具有不同于其他波段的如下重要特点：穿透性微波，比其它用于辐射加热的电磁波，如红外线、远红外线等波长更长，因此具有更好的穿透性。微波透入介质时，由于微波能与介质发生一定的相互作用，以微波频率2450兆赫兹，使介质的分子每秒产生24亿五千万次的振动，介质的分子间互相产生摩擦，引起的介质温度的升高，使介质材料内部、外部几乎同时加热升温，形成体热源状态，大大缩短了常规加热中的热传导时间，且在条件为介质损耗因数与介质温度呈负相关关系时，物料内外加热均匀一致。